閃燒是在2010年提出的一種新的燒結(jié)理念。將氧化鋯陶瓷坯體通過兩根鉑絲懸吊在立式管式爐的熱區(qū)處,鉑絲將樣品與電源連成回路。通過在850℃的爐內(nèi)溫度下對(duì)樣品兩端加大于40V/cm的電場(chǎng),使樣品因焦耳熱效應(yīng)迅速升溫,同時(shí)發(fā)出亮光形成“flash”過程,在幾秒鐘之內(nèi)完成致密化。簡(jiǎn)單的講閃燒指的是生坯在一定溫度和臨界電場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)生坯的低溫極速致密化,過程一般是幾秒鐘。相比于其他燒結(jié)方法而言,閃燒具有燒結(jié)時(shí)間短、溫度低的優(yōu)勢(shì)。
高溫閃燒試驗(yàn)儀的閃燒有兩個(gè)特征現(xiàn)象:快速致密化和電導(dǎo)急速增加。與其它方法相比,閃燒能縮短燒結(jié)時(shí)間,并降低燒結(jié)所需溫度,還能抑制晶粒生長(zhǎng),實(shí)現(xiàn)非平衡燒結(jié)。成本較低,設(shè)備簡(jiǎn)單,方便使用。
容易影響高溫閃燒試驗(yàn)儀閃燒的因素主要有以下幾個(gè):
1.電場(chǎng)強(qiáng)度,表示單位長(zhǎng)度施加的電壓大小,容易影響閃燒的孕育時(shí)間和起始溫度,隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增大,孕育時(shí)間縮短,起始溫度降低;
2.保溫時(shí)間影響試樣的致密度和晶粒尺寸,隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),試樣的致密度增加,晶粒尺寸會(huì)變大;
3.爐溫影響閃燒的孕育時(shí)間,隨著爐溫的升高,孕育會(huì)時(shí)間縮短。